UTE Microwave 隔離器CH-5228-OT技術(shù)參數(shù)

基本循環(huán)器事實(shí)結(jié)環(huán)行器是一種 3 端口器件，由耦合到磁偏置鐵氧體材料的對(duì)稱 Y 結(jié)形成。循環(huán)器只允許微波能量在一個(gè)方向流動(dòng)，例如從端口 1 到 2、2 到 3 和 3 到 1。當(dāng)其中一個(gè)端口終止（匹配條件）時(shí)，另外兩個(gè)在相反方向上被隔離。因此，隔離器是一個(gè)環(huán)行器，它在端口 3 上具有匹配的終端，通常與單元集成在一起。 鐵氧體循環(huán)器是這里描述的鐵氧體元件的基本構(gòu)件。結(jié)合基本的連接選擇，可以執(zhí)行更復(fù)雜的功能和/或提高性能。 環(huán)行器的應(yīng)用包括：電抗放大器（參數(shù)和 TDA）的耦合元件、雙工和鎖相注入。由于實(shí)際限制，單結(jié)隔離器通常會(huì)提供 20 dB 的隔離。該值的倍數(shù)是通過(guò)在單個(gè)包中級(jí)聯(lián)部分來(lái)獲得的。 選擇設(shè)備 循環(huán)器最容易被誤解的概念是隔離。環(huán)行器在端接之前不提供隔離，然后任意兩個(gè)端口之間的隔離（在與環(huán)流方向相反的方向上）是由于第三個(gè)端口失配造成的回波損耗。這種基本關(guān)系如圖 1 所示。假設(shè)端口 3 由的 50 歐姆端接端接，則隔離只是環(huán)行器 VSWR 的一個(gè)函數(shù)。為了達(dá)到給定的隔離量，有必要選擇一個(gè)足夠匹配的環(huán)行器來(lái)滿足要求。然而，實(shí)際限制（頻率覆蓋范圍、溫度等）不允許無(wú)限期地使用此程序——有時(shí)需要將循環(huán)器部分級(jí)聯(lián)到多端口設(shè)備中。 如果將環(huán)行器用作隔離器（用于降低負(fù)載 VSWR 的目的），并且假設(shè)第三個(gè)端口通過(guò)端接進(jìn)行端接，則適用圖 2。輸入 VSWR 與負(fù)載 VSWR 的關(guān)系顯示了許多不同程度的環(huán)行器匹配。通?？梢孕璧钠ヅ涑潭龋ㄔ谔厥庥唵蔚幕A(chǔ)上）。但是，如果該設(shè)備用作隔離器，通常更容易購(gòu)買(mǎi)。 圖 3 顯示了一些實(shí)用隔離器的 VSWR 降低特性。顯示的某些配置僅在特殊訂單的基礎(chǔ)上提供，而顯示的其他配置由標(biāo)準(zhǔn)目錄項(xiàng)滿足。 使用隔離器時(shí)，必須考慮所提供的集成終端的功率處理能力。圖 4 給出了輸入功率額定值（作為終端額定值的乘數(shù)）與負(fù)載 VSWR 的關(guān)系。所有標(biāo)準(zhǔn)隔離器的最小端接額定功率為 1 瓦，許多可以處理 2 瓦。有關(guān)更高功率終端的詳細(xì)信息和信息，請(qǐng)咨詢工廠。 顯示的各種類型的規(guī)格是正常的生產(chǎn)變化限制。在更窄的頻率范圍、減少的環(huán)境等條件下，可以提高性能。還可以使用特殊技術(shù)來(lái)優(yōu)化特定參數(shù)，即損耗、隔離或 VSWR。所示的大多數(shù)設(shè)備都可以在正常遇到的溫度變化下使用。應(yīng)特別寬的變化或在恒定異常溫度下的操作。所有單元通常都是半屏蔽的，以便在彼此靠近、大型鐵質(zhì)物體或暴露于中等外部磁場(chǎng)時(shí)操作單元。特殊設(shè)計(jì)的單元可用于需要高度屏蔽的單元。標(biāo)準(zhǔn)連接器類型為 N 和 SMA 母頭。可根據(jù)要求提供公連接器和其他類型。