*FANAL溫控器TFL 142-1 AE 00/1W

德FANAL壓力開(kāi)關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí)，薄片的兩端就會(huì )產(chǎn)生電位差，這種現象就稱(chēng)為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱(chēng)為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數，I為薄片中通過(guò)的電流，B為外加磁場(chǎng)（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見(jiàn)，德FANAL壓力開(kāi)關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應強度成正比的關(guān)系

德FANAL壓力開(kāi)關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí)，薄片的兩端就會(huì )產(chǎn)生電位差，這種現象就稱(chēng)為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱(chēng)為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數，I為薄片中通過(guò)的電流，B為外加磁場(chǎng)（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見(jiàn)，德FANAL壓力開(kāi)關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應強度成正比的關(guān)系

德FANAL壓力開(kāi)關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí)，薄片的兩端就會(huì )產(chǎn)生電位差，這種現象就稱(chēng)為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱(chēng)為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數，I為薄片中通過(guò)的電流，B為外加磁場(chǎng)（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見(jiàn)，德FANAL壓力開(kāi)關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應強度成正比的關(guān)系

德FANAL壓力開(kāi)關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí)，薄片的兩端就會(huì )產(chǎn)生電位差，這種現象就稱(chēng)為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱(chēng)為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數，I為薄片中通過(guò)的電流，B為外加磁場(chǎng)（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見(jiàn)，德FANAL壓力開(kāi)關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應強度成正比的關(guān)系

Fanal              TF 142-5 AC 06

fanal              TF 142-6 AC 06

fanal              TFL 142-1 AE 00/1W

fanal              TFL 142-2 AE 00/1W

*FANAL溫控器TFL 142-1 AE 00/1W

*FANAL溫控器TFL 142-1 AE 00/1W

fanal              TFL 142-3 AE 00/1W

fanal              TFL 142-4 AE 00/1W

德FANAL壓力開(kāi)關(guān)，當一塊通有電流的屬或半導體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí)，薄片的兩端就會(huì )產(chǎn)生電位差，這種現象就稱(chēng)為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱(chēng)為電勢U，其表達式為U=K•I•B/d其中K為系數，I為薄片中通過(guò)的電流，B為外加磁場(chǎng)（洛倫慈力Lorrent）的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見(jiàn)，德FANAL壓力開(kāi)關(guān)效應的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應強度成正比的關(guān)系